Publicado no Encontro de Saberes 2017
Evento: II Mostra da Pós-Graduação
Área: CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA
Subárea: Química
Órgão de Fomento: Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior
| Título |
| Preparação de óxido de bismuto III e avaliação de suas propriedades eletroquímicas para aplicação em supercapacitores |
| Autores |
|
CARLOS GIOVANI OLIVEIRA BRUZIQUESI (Autor) Matheus Cata Preta Stolzemburg (Co-Autor) Adilson Cândido da Silva (Orientador) |
| Resumo |
| Óxido de bismuto III (Bi2O3) é um semicondutor bastante promissor para diversas aplicações devido às suas excelentes propriedades, sendo elas, baixo valor de band gap (2,00 a 3,96 eV), elevada condutividade eletrônica, boa estabilidade eletroquímica, alta densidade de potência e alta área específica. Tais propriedades o torna viável a aplicação deste material como eletrodos em supercapacitores, uma vez que o mesmo pode alcançar altos valores de capacitância específica. Portanto, realizou-se a síntese solvotermal do Bi2O3 e caracterizou-se este material eletroquimicamente por voltametria cíclica (VC) e carga e descarga galvanostática (CDG) visando a aplicação como eletrodos em supercapacitores. O Bi2O3 apresentou carga total, obtido pela voltamograma cíclica, no valor de 10,650 mC à velocidade de varredura de 25 mV .s-1 em solução aquosa de 1mol/L de Na2SO4 em janela de potencial de -0,300 a 0,7 V vs. Ag(s)/AgCl(s)/Cl-(aq), o qual correspondeu à capacitância específica de 150, 000 F.g-1. Os testes de CDG indicaram boa estabilidade eletroquímica do Bi2O3 quando submetido às densidades de correntes 0,125 A.g-1, 0,250 A.g-1, e 1,250 A.g-1; com baixa queda ôhmica e valores de potência específica e densidade energética de 420,000 W/kg e 0,800 Wh.kg-1, respectivamente. Os resultados indicaram que o Bi2O3 é um semicondutor promissor para a aplicação como eletrodos em supercapacitores. |
